IXFH9N80Q IXYS | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 2.5mA
制造商 IXYS	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 56 nC @ 10 V
系列 HiPerFET™, Q Class	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2200 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 180W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 800 V	供应商器件封装 TO-247AD（IXFH）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）	封装/外壳 TO-247-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IXFH9
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.1 欧姆 @ 500mA，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SPW11N80C3FKSA1	Infineon Technologies	518	448-SPW11N80C3FKSA1-ND	$5.79000	类似
SPW17N80C3FKSA1	Infineon Technologies	2,114	SPW17N80C3FKSA1-ND	$8.33000	类似
STW10NK80Z	STMicroelectronics	521	497-3254-5-ND	$8.75000	类似

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IXFH9N80Q