IXFH9N80Q 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
现货: 1,799
单价: $5.24000
规格书

类似

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
现货: 2,127
单价: $7.54000
规格书

类似

STW10NK80Z
STMicroelectronics
现货: 534
单价: $8.17000
规格书
查看所有替代品并进行比较
通孔 N 通道 800 V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 800 V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
HiPerFET_TO-247-3

IXFH9N80Q

DigiKey 零件编号
IXFH9N80Q-ND
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXFH9N80Q
描述
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 800 V 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Q Class
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXFH9
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

过期
此产品已停产。 查看 替代品。
不可取消/不可退货