IXFH18N65X2 可以购买了,但通常没有现货。
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现货: 381
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现货: 282
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现货: 582
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现货: 20
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现货: 13
单价: $12.91000
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Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $8.91000
规格书
通孔 N 通道 650 V 18A(Tc) 290W(Tc) TO-247(IXTH)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IXFH18N65X2

DigiKey 零件编号
238-IXFH18N65X2-ND
制造商
制造商产品编号
IXFH18N65X2
描述
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 18A(Tc) 290W(Tc) TO-247(IXTH)
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1.5mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1520 pF @ 25 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
290W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 9A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FCH190N65F-F155onsemi381FCH190N65F-F155-ND$10.88000类似
SCT3120ALGC11Rohm Semiconductor282SCT3120ALGC11-ND$15.51000类似
STW26NM60NSTMicroelectronics323497-9066-5-ND$12.16000类似
STW27N60M2-EPSTMicroelectronics582497-16490-5-ND$6.28000类似
TK16N60W,S1VFToshiba Semiconductor and Storage20TK16N60WS1VF-ND$9.36000类似
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管件
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300$6.36533$1,909.60
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不含 VAT 单价:$6.36533
含 VAT 单价:$6.93821