IXFH18N65X2 可以购买了,但通常没有现货。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±30V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1520 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散(最大值) 290W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 650 V | 供应商器件封装 TO-247(IXTH) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 9A,10V |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | $10.88000 | 类似 |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | $15.51000 | 类似 |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 323 | 497-9066-5-ND | $12.16000 | 类似 |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | $6.28000 | 类似 |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | $9.36000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | $6.36533 | $1,909.60 |
| 不含 VAT 单价: | $6.36533 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.93821 |







