设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
SI4435DYPBF 没有现货，且当前不提供缺货下单。
可用替代品:
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SI4435DYPBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4435DYPBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4435DYPBF |
描述 | MOSFET P-CH 30V 8A 8SO |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI4435DYPBF 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2320 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
封装/外壳 |
0 现货
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品
新加坡