类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13.5 毫欧 @ 10A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1585 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）	供应商器件封装 8-SO
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSO110N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	176	BSO110N03MSGXUMA1CT-ND	$1.65000	类似
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	1,780	31-DMG4466SSSL-13CT-ND	$1.40000	类似
DMN3016LSS-13	Diodes Incorporated	0	DMN3016LSS-13DICT-ND	$1.30000	类似
FDS6690A	onsemi	7,924	FDS6690ACT-ND	$1.77000	类似
FDS8878	onsemi	5,012	FDS8878CT-ND	$1.26000	类似

SI4410DYPBF