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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
原厂标准交货期 | 48 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 100V 19A（Ta），139A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） 表面贴装型 PG-WHITFN-10-1 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 个 N 通道（半桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 100V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），139A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 50A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 85µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4800pF @ 50V | |
功率 - 最大值 | 3W（Ta），167W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 10-PowerWDFN | |
供应商器件封装 | PG-WHITFN-10-1 |
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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $7.75000 | $7.75 |
| 10 | $5.17400 | $51.74 |
| 100 | $3.71420 | $371.42 |
| 500 | $3.61998 | $1,809.99 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $2.95751 | $8,872.53 |
| 不含 VAT 单价: | $7.75000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $8.44750 |
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