MOSFET - 阵列 40V 42A（Ta），299A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） 表面贴装型 PG-WHITFN-10-1
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MOSFET - 阵列 40V 42A（Ta），299A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） 表面贴装型 PG-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0613N04NM6HSCATMA1

DigiKey 零件编号
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - 卷带（TR）
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
ISG0613N04NM6HSCATMA1
描述
MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
原厂标准交货期
35 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 40V 42A（Ta），299A（Tc） 3W（Ta），167W（Tc） 表面贴装型 PG-WHITFN-10-1
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 6
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A（Ta），299A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.88 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 780µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
104nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6200pF @ 20V
功率 - 最大值
3W（Ta），167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
10-PowerWDFN
供应商器件封装
PG-WHITFN-10-1
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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$6.83000$6.83
10$4.52200$45.22
100$3.21020$321.02
500$2.82800$1,414.00
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$2.31046$6,931.38
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$6.83000
含 VAT 单价:$7.44470
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