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Diodes Incorporated
现货: 3,266
单价: $2.79000
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类似


Nexperia USA Inc.
现货: 3,129
单价: $0.96000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 333
单价: $0.96000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $0.74000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $3.39000
规格书

类似


onsemi
现货: 3,858
单价: $2.01000
规格书

类似


Panjit International Inc.
现货: 249
单价: $0.82000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 3,184
单价: $1.31000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 40,301
单价: $2.22000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 1,876
单价: $1.56000
规格书
SOT223-3L
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IRLL014NPBF

DigiKey 零件编号
IRLL014NPBF-ND
制造商
制造商产品编号
IRLL014NPBF
描述
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 55 V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
140 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
230 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
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