IRFS7787PBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.4 毫欧 @ 46A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.7V @ 100µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 109 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4020 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 75 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 76A（Tc）	供应商器件封装 TO-263AB（D2PAK）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BUK9609-75A,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7189-1-ND	$2.03185	类似

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