IRFL024ZPBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 57.5 毫欧 @ 3.1A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 340 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.1A（Ta）	供应商器件封装 SOT-223
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FDT86102LZ	onsemi	18,398	FDT86102LZFSCT-ND	$2.11000	直接
STN3NF06	STMicroelectronics	8,355	497-4764-1-ND	$1.21000	类似
STN3NF06L	STMicroelectronics	0	497-3177-1-ND	$2.35000	类似

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