IRFB3206GPBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6540 pF @ 50 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 300W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 TO-220AB
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IRFB3206
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V