IRF8113PBF 没有现货，且当前不提供缺货下单。
可用替代品:

类似

AO4430
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 8,772
单价: $2.19000
规格书

类似

DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

FDS8870
onsemi
现货: 13
单价: $3.32000
规格书

类似

FDS8878
onsemi
现货: 5,982
单价: $1.26000
规格书

类似

RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
现货: 2,446
单价: $1.91000
规格书

类似

SI4134DY-T1-E3
Vishay Siliconix
现货: 1,743
单价: $1.60000
规格书
查看所有替代品并进行比较
表面贴装型 N 通道 30 V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IRF8113PBF

DigiKey 零件编号
IRF8113PBF-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF8113PBF
描述
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
DigiKey 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 17.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2910 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

0 现货
由于临时供应限制，我们无法接受进行缺货订购，且目前产品的交货期不确定。 查看 替代品 或 替代包装类型。