IRF7831PBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.6 毫欧 @ 20A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.35V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 60 nC @ 4.5 V
包装管件	Vgs（最大值） ±12V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6240 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Ta）	供应商器件封装 8-SO
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSO040N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	340	448-BSO040N03MSGXUMA1CT-ND	$3.00000	类似
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	15	IRF7862TRPBFCT-ND	$2.19000	类似
SI4368DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	SI4368DY-T1-GE3-ND	$1.98882	类似

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