IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies | 分立半导体产品

IRF7809AVTRPBF
DigiKey 零件编号	IRF7809AVPBFTR-ND - 卷带（TR） IRF7809AVPBFCT-ND - 剪切带（CT） IRF7809AVPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IRF7809AVTRPBF
描述	MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 13.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IRF7809AVTRPBF 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	62 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3780 pF @ 16 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号	IRF7809