IRF7455PBF Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.5 毫欧 @ 15A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
系列 HEXFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 56 nC @ 5 V
包装管件	Vgs（最大值） ±12V
零件状态 DigiKey 停止提供	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3480 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A（Ta）	供应商器件封装 8-SO
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V	封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FDS6670A	onsemi	11,520	FDS6670ACT-ND	$1.78000	类似
FDS8896	onsemi	2,332	FDS8896CT-ND	$1.76000	类似

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