Name: IQDH45N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 5.668 SGD
Availability: OutOfStock

表面贴装型 N 通道 40 V 60A（Ta），637A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-TTFN-9-U02

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IQDH45N04LM6CGATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQDH45N04LM6CGATMA1
描述	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 60A（Ta），637A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-TTFN-9-U02
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQDH45N04LM6CGATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 1.449mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 129 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™ 6	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 12000 pF @ 20 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 3W（Ta），333W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 40 V	供应商器件封装 PG-TTFN-9-U02
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A（Ta），637A（Tc）	封装/外壳 9-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IQDH45
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 0.45 毫欧 @ 50A，10V