IPW65R150CFDFKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


Infineon Technologies
现货: 210
单价: $6.94000
规格书

类似


IXYS
现货: 560
单价: $21.85000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $4.64698
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 309
单价: $6.06000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 582
单价: $5.91000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 23
单价: $8.39000
规格书
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R150CFDFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW65R150CFDFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW65R150CFDFKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 900µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2340 pF @ 100 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
195.3W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 9.3A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPW65R150CFDFKSA2Infineon Technologies210448-IPW65R150CFDFKSA2-ND$6.94000参数等效
IXFH36N60PIXYS560IXFH36N60P-ND$21.85000类似
SIHG24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHG24N65E-E3-ND$4.64698类似
STW26N60M2STMicroelectronics309STW26N60M2-ND$6.06000类似
STW27N60M2-EPSTMicroelectronics582497-16490-5-ND$5.91000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。