IPW65R080CFDFKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

MFR Recommended


Infineon Technologies
现货: 358
单价: $12.50000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,646
单价: $16.24000
规格书

类似


onsemi
现货: 0
单价: $15.13000
规格书

类似


IXYS
现货: 296
单价: $25.28000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $11.78000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 64
单价: $8.02000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 600
单价: $10.99000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $10.97000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $5.64482
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 30
单价: $17.19000
规格书
通孔 N 通道 700 V 43.3A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW65R080CFDFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW65R080CFDFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW65R080CFDFKSA1
描述
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 700 V 43.3A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW65R080CFDFKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.76mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
170 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5030 pF @ 100 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
391W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
700 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 17.6A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IPW65R080CFDFKSA2Infineon Technologies358448-IPW65R080CFDFKSA2-ND$12.50000MFR Recommended
FCH077N65F-F085onsemi1,646FCH077N65F-F085-ND$16.24000类似
FCH077N65F-F155onsemi0FCH077N65F-F155-ND$15.13000类似
IXFX64N60P3IXYS296238-IXFX64N60P3-ND$25.28000类似
SIHG40N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHG40N60E-GE3-ND$11.78000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。