IPW65R041CFDFKSA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


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现货: 35
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现货: 461
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STMicroelectronics
现货: 594
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STMicroelectronics
现货: 29
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现货: 30
单价: $18.65000
规格书
通孔 N 通道 650 V 68.5A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW65R041CFDFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW65R041CFDFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW65R041CFDFKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 68.5A(Tc) 500W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 33.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
300 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
基本产品编号
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