IPW60R199CPFKSA1 可以购买了，但通常没有现货。
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直接

STW24N60DM2
STMicroelectronics
现货: 88
单价: $6.19000
规格书

类似

FCH190N65F-F155
onsemi
现货: 381
单价: $10.03000
规格书

类似

IXFH22N65X2
IXYS
现货: 5,065
单价: $10.77000
规格书

类似

IXFH50N60P3
IXYS
现货: 534
单价: $15.98000
规格书

类似

IXFX44N80Q3
IXYS
现货: 0
单价: $37.96053
规格书

类似

SIHG21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
现货: 0
单价: $3.46090
规格书

类似

STW18N60M2
STMicroelectronics
现货: 119
单价: $5.20000
规格书

类似

STW24N60M2
STMicroelectronics
现货: 1
单价: $4.88000
规格书

类似

STW26NM60N
STMicroelectronics
现货: 574
单价: $11.03000
规格书

类似

STW28N60DM2
STMicroelectronics
现货: 145
单价: $6.73000
规格书
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通孔 N 通道 600 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3-1
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPW60R199CPFKSA1

DigiKey 零件编号
IPW60R199CPFKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPW60R199CPFKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW60R199CPFKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1520 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R199
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
240$2.82321$677.57
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$2.82321
含 VAT 单价:$3.07730