IPW60R125CPFKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


STMicroelectronics
现货: 430
单价: $10.77000
规格书

类似


onsemi
现货: 411
单价: $10.26000
规格书

类似


onsemi
现货: 360
单价: $12.61000
规格书

类似


onsemi
现货: 262
单价: $11.29000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 323
单价: $11.45000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $7.24000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 458
单价: $8.87000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $8.44000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 227
单价: $15.72000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $9.46000
规格书
通孔 N 通道 600 V 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPW60R125CPFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW60R125CPFKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPW60R125CPFKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW60R125CPFKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.1mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
125 毫欧 @ 16A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (10)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
STW50N65DM2AGSTMicroelectronics430497-16138-5-ND$10.77000直接
FCH104N60F-F085onsemi411FCH104N60F-F085OS-ND$10.26000类似
FCH110N65F-F155onsemi360FCH110N65F-F155-ND$12.61000类似
FCH150N65F-F155onsemi262FCH150N65F-F155-ND$11.29000类似
STW26NM60NSTMicroelectronics323497-9066-5-ND$11.45000类似
按订单供货
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不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 查看 替代品。
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
240$4.47038$1,072.89
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$4.47038
含 VAT 单价:$4.87271