IPW60R125CPFKSA1 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
现货: 430
单价: $10.05000
规格书

类似

FCH104N60F-F085
onsemi
现货: 423
单价: $9.96000
规格书

类似

FCH110N65F-F155
onsemi
现货: 460
单价: $12.14000
规格书

类似

FCH150N65F-F155
onsemi
现货: 262
单价: $10.75000
规格书

类似

STW26NM60N
STMicroelectronics
现货: 329
单价: $10.70000
规格书

类似

STW31N65M5
STMicroelectronics
现货: 0
单价: $6.76000
规格书

类似

STW33N60DM2
STMicroelectronics
现货: 508
单价: $8.30000
规格书

类似

STW33N60M2
STMicroelectronics
现货: 751
单价: $7.89000
规格书

类似

STW34NM60N
STMicroelectronics
现货: 233
单价: $14.69000
规格书

类似

STW40N65M2
STMicroelectronics
现货: 247
单价: $8.85000
规格书
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通孔 N 通道 600 V 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPW60R125CPFKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPW60R125CPFKSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPW60R125CPFKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPW60R125CPFKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R125
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
240$3.86129$926.71
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$3.86129
含 VAT 单价:$4.20881