IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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Rochester Electronics, LLC

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 130µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ CE	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 280 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 37W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-251
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A（Tc）	封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPU60R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1 欧姆 @ 1.5A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FCU900N60Z	Rochester Electronics, LLC	110,978	2156-FCU900N60Z-OS-ND	$1.48591	类似

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