类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 930µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 64 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2540 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 192W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 550 V	供应商器件封装 PG-TO220-3-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP50R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 140 毫欧 @ 14A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP50R140CPXKSA1	Infineon Technologies	108	IPP50R140CPXKSA1-ND	$7.87000	直接
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1,718	IRF830APBF-ND	$5.40000	类似
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	$5.49000	类似
STP23NM50N	STMicroelectronics	0	497-10883-5-ND	$8.53000	类似
STP28NM50N	STMicroelectronics	1,102	497-10712-5-ND	$10.07000	类似

IPP50R140CPHKSA1