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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPP120N08S403AKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPP120N08S403AKSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 80 V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO220-3-1 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPP120N08S403AKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 167 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 11550 pF @ 25 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 278W（Tc） |
零件状态 不适用于新设计 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 80 V | 安装类型 通孔 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 PG-TO220-3-1 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 毫欧 @ 100A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 223µA |
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替代品 (2)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | 1,809 | FDP036N10A-ND | $8.65000 | 类似 |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | $8.48000 | 类似 |
现货: 8,083
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $11.44000 | $11.44 |
| 50 | $6.10200 | $305.10 |
| 100 | $5.58720 | $558.72 |
| 500 | $4.68588 | $2,342.94 |
| 1,000 | $4.39662 | $4,396.62 |
| 2,000 | $4.15356 | $8,307.12 |
| 不含 VAT 单价: | $11.44000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $12.46960 |
