IPP091N06N G Infineon Technologies | 分立半导体产品

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产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	管件
零件状态	Digi-Key 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	81 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2800 pF @ 30 V
FET 功能	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	IPP091N