IPP086N10N3GXKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

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Infineon Technologies
现货: 3,328
单价: $3.65000
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Texas Instruments
现货: 0
单价: $3.46000
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onsemi
现货: 467
单价: $6.13000
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IXYS
现货: 0
单价: $4.06887
规格书

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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $0.87817
规格书

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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $2.06529
规格书

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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $1.51082
规格书

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Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $1.30456
规格书

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Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: $10.70000
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STMicroelectronics
现货: 1,189
单价: $3.95000
规格书

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STMicroelectronics
现货: 17,733
单价: $8.31000
规格书
通孔 N 通道 100 V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP086N10N3GXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP086N10N3GXKSA1
描述
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 100 V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP086N10N3GXKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 75µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3980 pF @ 50 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
100 V
供应商器件封装
PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.6 毫欧 @ 73A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (11)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
IRFB4410ZPBFInfineon Technologies3,328448-IRFB4410ZPBF-ND$3.65000类似
CSD19533KCSTexas Instruments0296-37482-5-ND$3.46000类似
FDP100N10onsemi467FDP100N10-ND$6.13000类似
IXFP130N10TIXYS0IXFP130N10T-ND$4.06887类似
PHP18NQ10T,127Nexperia USA Inc.01727-4637-ND$0.87817类似
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管件
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500$1.37462$687.31
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$1.37462
含 VAT 单价:$1.49834