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Infineon Technologies
现货: 491
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类似


Texas Instruments
现货: 1,409
单价: $4,316.00000
规格书

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onsemi
现货: 4,452
单价: $5,492.00000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $7,426.00000
规格书

类似


Renesas Electronics Corporation
现货: 3,946
单价: $4,420.00000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 835
单价: $6,057.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,893
单价: $3,051.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 739
单价: $3,542.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $3,738.63700
规格书
通孔 N 通道 60 V 20A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),107W(Tc) PG-TO220-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPP040N06NAKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP040N06NAKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP040N06NAKSA1
描述
MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 20A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),107W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPP040N06NAKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3W(Ta),107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
基本产品编号
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管件
数量 单价总价
1$3.62000$3.62
50$1.78720$89.36
100$1.60830$160.83
500$1.29436$647.18
1,000$1.19348$1,193.48
2,000$1.10866$2,217.32
5,000$1.09662$5,483.10
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$3.62000
含 VAT 单价:$3.94580