IPN80R900P7ATMA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

MFR Recommended


Infineon Technologies
现货: 4,437
单价: $2.42000
规格书
PG-SOT223
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

DigiKey 零件编号
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - 卷带(TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - 剪切带(CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IPN80R900P7ATMA1
描述
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 800 V 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPN80R900P7ATMA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
最后售卖
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
900 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223
封装/外壳
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

最后售卖
最后售卖日期:31/03/2026
所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$2.22000$2.22
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
3,000$0.59139$1,774.17
6,000$0.55432$3,325.92
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$2.22000
含 VAT 单价:$2.41980