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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPI60R125CPXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPI60R125CPXKSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPI60R125CPXKSA1 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2500 pF @ 100 V |
零件状态 不适用于新设计 | 功率耗散（最大值） 208W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 供应商器件封装 PG-TO262-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V |
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替代品 (2)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | $2.22696 | 类似 |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | $6.12000 | 类似 |
现货: 484
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $8.71000 | $8.71 |
| 50 | $4.59980 | $229.99 |
| 100 | $4.20230 | $420.23 |
| 500 | $3.50616 | $1,753.08 |
| 1,000 | $3.28272 | $3,282.72 |
| 2,000 | $3.16308 | $6,326.16 |
| 不含 VAT 单价: | $8.71000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $9.49390 |
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