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市场产品
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPI086N10N3GXKSA1 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
原厂标准交货期 | 17 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 100 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPI086N10N3GXKSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.6 毫欧 @ 73A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3980 pF @ 50 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 224
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.11000 | $3.11 |
| 50 | $1.51020 | $75.51 |
| 100 | $1.35460 | $135.46 |
| 500 | $1.08184 | $540.92 |
| 1,000 | $0.99414 | $994.14 |
| 2,000 | $0.92039 | $1,840.78 |
| 5,000 | $0.85485 | $4,274.25 |
| 不含 VAT 单价: | $3.11000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.38990 |
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