IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies | FET、MOSFET 阵列

IPG20N04S409ATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPG20N04S409ATMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPG20N04S409ATMA1
描述	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 40V 20A（Tc） 54W（Tc）表面贴装型 PG-TDSON-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPG20N04S409ATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.6 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2250pF @ 25V
功率 - 最大值	54W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PG-TDSON-8
基本产品编号	IPG20N

IPG20N04S409ATMA1