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IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
现货: 4,244
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STD7N80K5
STMicroelectronics
现货: 10,986
单价: $3.73000
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表面贴装型 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-11
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IPD80R1K0CEBTMA1

DigiKey 零件编号
IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPD80R1K0CEBTMA1
描述
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-11
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
950 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
785 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
IPD80R
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