类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 200µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.1 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 380 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 36.7W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.9A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPD65R950
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 950 毫欧 @ 1.5A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD65R950CFDATMA2	Infineon Technologies	2,094	448-IPD65R950CFDATMA2CT-ND	$2.40000	参数等效
STD6N60M2	STMicroelectronics	0	497-13939-1-ND	$2.87000	类似
STD7N65M2	STMicroelectronics	68	497-15050-1-ND	$2.91000	类似
STD7NM80	STMicroelectronics	1,319	497-8807-1-ND	$6.64000	类似

IPD65R950CFDATMA1