类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 16µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 470 pF @ 30 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 47W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IPD640
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 64 毫欧 @ 18A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
AOD444	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	69,858	785-1108-1-ND	$1.59000	类似
DMN6068LK3-13	Diodes Incorporated	0	DMN6068LK3-13DICT-ND	$1.36000	类似
NTD18N06LT4G	onsemi	17,514	NTD18N06LT4GOSCT-ND	$2.52000	类似
RFD12N06RLESM9A	onsemi	4,483	RFD12N06RLESM9ACT-ND	$2.37000	类似
STD16NF06LT4	STMicroelectronics	11,925	497-4329-1-ND	$2.44000	类似

IPD640N06LGBTMA1