IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

IPD60R460CEAUMA1 已经过时且不再制造。

可用替代品:

类似

Infineon Technologies

现货: 1,849

单价: $1.89000

类似

STMicroelectronics

现货: 1,380

单价: $3.95000

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Category 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 280µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ CE	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 620 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 74W
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO252-3-344
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.1A（Tj）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPD60R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 460 毫欧 @ 3.4A，10V