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现货: 41,518
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onsemi
现货: 3,598
单价: $5.38000
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Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: $2.40000
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STMicroelectronics
现货: 1,209
单价: $2.94000
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STMicroelectronics
现货: 2,307
单价: $3.57000
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STMicroelectronics
现货: 2,339
单价: $3.63000
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表面贴装型 N 通道 100 V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 100 V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD180N10N3GBTMA1

DigiKey 零件编号
IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IPD180N10N3GBTMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
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 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 33µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800 pF @ 50 V
零件状态
DigiKey 停止提供
功率耗散(最大值)
71W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
100 V
供应商器件封装
PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 33A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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IPD180N10N3GATMA1Infineon Technologies4,049IPD180N10N3GATMA1CT-ND$2.91000直接
IRFR3710ZTRLPBFInfineon Technologies2,946IRFR3710ZTRLPBFCT-ND$4.09000类似
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies51,922IRFR3710ZTRPBFCT-ND$3.92000类似
AOD2910Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD2910-ND$0.59988类似
FDD86102LZonsemi41,518FDD86102LZFSCT-ND$3.29000类似
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