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IPD180N10N3GATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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IRFR3710ZTRPBF
Infineon Technologies
现货: 35
单价: $3.14000
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现货: 0
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FDD86102LZ
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现货: 9,761
单价: $3.29000
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NVD5117PLT4G-VF01
onsemi
现货: 2,821
单价: $5.38000
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RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: $2.25000
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STD45N10F7
STMicroelectronics
现货: 2,926
单价: $2.74000
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STMicroelectronics
现货: 2,329
单价: $3.33000
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STMicroelectronics
现货: 2,425
单价: $3.40000
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表面贴装型 N 通道 100 V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
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表面贴装型 N 通道 100 V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD180N10N3GBTMA1

DigiKey 零件编号
IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPD180N10N3GBTMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
DigiKey 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
IPD180N
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