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IPB80N08S2L07ATMA1 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPB80N08S2L07ATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPB80N08S2L07ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB80N08S2L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB80N08S2L07ATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 75 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPB80N08S2L07ATMA1 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 233 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5400 pF @ 25 V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 功率耗散（最大值） 300W（Tc） |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 75 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 PG-TO263-3-2 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.8 毫欧 @ 80A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA |
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替代品 (16)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUC64N08S5L075ATMA1 | Infineon Technologies | 2,760 | 448-IAUC64N08S5L075ATMA1CT-ND | $179.85000 | MFR Recommended |
| IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | 1,184 | IRF3808STRLPBFCT-ND | $397.90000 | 类似 |
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | 568 | 448-IRFS3307ZTRRPBFCT-ND | $352.24000 | 类似 |
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 2,298 | IRFS3607TRLPBFCT-ND | $208.74000 | 类似 |
| STB75NF75T4 | STMicroelectronics | 570 | 497-15666-1-ND | $375.54000 | 直接 |
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