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IPB80N06S405ATMA2
Infineon Technologies
现货: 166
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IRF1405STRLPBF
Infineon Technologies
现货: 1,736
单价: $4.62000
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IRF3205ZSTRLPBF
Infineon Technologies
现货: 2,011
单价: $3.55000
规格书

类似

FDB070AN06A0
onsemi
现货: 2,520
单价: $5.98000
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FDB5800
onsemi
现货: 5,155
单价: $5.53000
规格书

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IXFA230N075T2-7
IXYS
现货: 288
单价: $11.14000
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类似

IXTA230N075T2
IXYS
现货: 352
单价: $10.56000
规格书

类似

IXTA230N075T2-7
IXYS
现货: 0
单价: $5.21943
规格书

类似

N0601N-ZK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
现货: 3,148
单价: $5.02000
规格书

类似

NP60N06PDK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
现货: 0
单价: $1.40806
规格书

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PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
现货: 2,632
单价: $3.92000
规格书

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STB160N75F3
STMicroelectronics
现货: 842
单价: $7.67000
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表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
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IPB80N06S405ATMA1

DigiKey 零件编号
IPB80N06S405ATMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB80N06S405ATMA1
描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
DigiKey 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80N
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