IPB80N03S4L03ATMA1 已经过时且不再制造。
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IPB80N03S4L03ATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - 卷带(TR) IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - 剪切带(CT) |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB80N03S4L03ATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPB80N03S4L03ATMA1 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs(最大值) ±16V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5100 pF @ 25 V |
包装 卷带(TR) 剪切带(CT) | 功率耗散(最大值) 94W(Tc) |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压(Vdss) 30 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 PG-TO263-3-2 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 80A,10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 45µA |
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替代品 (7)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
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