IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

IPB80N03S4L03ATMA1
DigiKey 零件编号	IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB80N03S4L03ATMA1
描述	MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB80N03S4L03ATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5100 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	94W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	IPB80N