Name: IPB70N10S312ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND
Price: 1.94759 SGD
Availability: OutOfStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11.6 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4355 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB