类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.2mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 127 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2780 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 278W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB65R099
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 99 毫欧 @ 12.8A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SIHB33N60ET5-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60ET5-GE3-ND	$3.77190	类似
STB30N65M5	STMicroelectronics	1,041	497-10563-1-ND	$10.23000	类似
STB34N65M5	STMicroelectronics	350	497-13085-1-ND	$9.68000	类似
STB35N65M5	STMicroelectronics	0	497-10565-1-ND	$11.12000	类似
STB38N65M5	STMicroelectronics	769	497-13086-1-ND	$10.22000	类似

IPB65R099C6ATMA1