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IPB45N06S4L08ATMA3
Infineon Technologies
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IRF2807STRLPBF
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Infineon Technologies
现货: 21,023
单价: $2.69000
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Infineon Technologies
现货: 23,647
单价: $3.05000
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IRL3705ZSTRLPBF
Infineon Technologies
现货: 4
单价: $4.04000
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BUK969R0-60E,118
Nexperia USA Inc.
现货: 5,513
单价: $3.57000
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PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
现货: 11,662
单价: $2.84000
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PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
现货: 160
单价: $3.34000
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表面贴装型 N 通道 60 V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
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IPB45N06S4L08ATMA1

DigiKey 零件编号
IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB45N06S4L08ATMA1
描述
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
IPB45N
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