IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

IPB034N03LGATMA1 已经过时且不再制造。

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 51 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5300 pF @ 15 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 94W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IPB034
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，10V