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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMW65R007M2HXKSA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 171A（Tc） 625W（Tc） PG-TO247-3-U06 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMW65R007M2HXKSA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.1 毫欧 @ 146.3A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 29.7mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 179 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6359 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 625W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-3-U06 | |
封装/外壳 |
现货: 1,040
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $38.72000 | $38.72 |
| 30 | $25.11067 | $753.32 |
| 120 | $24.83492 | $2,980.19 |
| 不含 VAT 单价: | $38.72000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $42.20480 |
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