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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMT65R075M2HXUMA1 |
描述 | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
原厂标准交货期 | 61 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 33.7A（Tc） 178W（Tc） PG-HSOF-8 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 11.9A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 2.4mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.9 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +25V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 516 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 178W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-HSOF-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $7.74000 | $7.74 |
| 10 | $5.16100 | $51.61 |
| 100 | $3.70510 | $370.51 |
| 500 | $3.08416 | $1,542.08 |
| 1,000 | $2.94894 | $2,948.94 |
| 不含 VAT 单价: | $7.74000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $8.43660 |
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