MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 83A(Tc) 410W(Tc) 表面贴装型 PG-HDSOP-16-221
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MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 83A(Tc) 410W(Tc) 表面贴装型 PG-HDSOP-16-221
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R026M2HHXUMA1

DigiKey 零件编号
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IMSQ120R026M2HHXUMA1
描述
SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
原厂标准交货期
54 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 83A(Tc) 410W(Tc) 表面贴装型 PG-HDSOP-16-221
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 27A,18V
制造商
Infineon Technologies
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 8.6mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54nC @ 0V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1990pF @ 800V
零件状态
在售
功率 - 最大值
410W(Tc)
技术
SiCFET(碳化硅)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
配置
2 个 N 通道(半桥)
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
封装/外壳
24-BSOP(0.606",15.40mm 宽),16 引线,裸焊盘
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
83A(Tc)
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-221
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 648
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$38.27000$38.27
10$27.57900$275.79
100$21.95730$2,195.73
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
750$18.50892$13,881.69
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$38.27000
含 VAT 单价:$41.71430