IMSQ120R012M2HHXUMA1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
IMSQ120R012M2HHXUMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R026M2HHXUMA1

DigiKey 零件编号
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
IMSQ120R026M2HHXUMA1
描述
SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 83A(Tc) 410W(Tc) 表面贴装型 PG-HDSOP-16-221
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
SiCFET(碳化硅)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
83A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 27A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54nC @ 0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1990pF @ 800V
功率 - 最大值
410W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-BSOP(0.606",15.40mm 宽),16 引线,裸焊盘
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-221
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 707
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$30.55000$30.55
10$22.00000$220.00
100$21.67260$2,167.26
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价总价
750$17.70635$13,279.76
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$30.55000
含 VAT 单价:$33.29950