新产品
IMCQ120R026M2HXTMA1
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IMCQ120R026M2HXTMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R040M2HXTMA1

DigiKey 零件编号
448-IMCQ120R040M2HXTMA1TR-ND - 卷带（TR）
448-IMCQ120R040M2HXTMA1CT-ND - 剪切带（CT）
448-IMCQ120R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IMCQ120R040M2HXTMA1
描述
SICFET N-CH 1200V 56A 22PWRBSOP
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 56A（Tc） 288W（Tc） PG-HDSOP-22-3
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMCQ120R040M2HXTMA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™ G2
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
39.6 毫欧 @ 17.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.1V @ 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42.4 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1660 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
288W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-3
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块
产品问答

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现货: 679
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$14.39000$14.39
10$9.92000$99.20
100$8.18450$818.45
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
750$6.68665$5,014.99
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$14.39000
含 VAT 单价:$15.68510