表面贴装型 N 通道 650 V 17A（Tc） 85W（Tc） PG-TO263-7-12
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IMBG65R163M1HXTMA1

DigiKey 零件编号
448-IMBG65R163M1HXTMA1TR-ND - 卷带（TR）
448-IMBG65R163M1HXTMA1CT-ND - 剪切带（CT）
448-IMBG65R163M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IMBG65R163M1HXTMA1
描述
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 650 V 17A（Tc） 85W（Tc） PG-TO263-7-12
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMBG65R163M1HXTMA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSIC™ M1
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
217 毫欧 @ 5.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7-12
封装/外壳
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
基本产品编号
IMBG65R
产品问答

了解工程师们提出的问题，提出您自己的问题，或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 368
检查是否有其他入库库存
不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。
数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$7.06000$7.06
10$4.69400$46.94
100$3.35030$335.03
500$3.19630$1,598.15
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
1,000$2.61136$2,611.36
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$7.06000
含 VAT 单价:$7.69540