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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IMBG65R107M1HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMBG65R107M1HXTMA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 110W（Tc） PG-TO263-7-12 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMBG65R107M1HXTMA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 141 毫欧 @ 8.9A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 2.6mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 496 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-7-12 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
现货: 784
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $9.42000 | $9.42 |
| 10 | $6.33400 | $63.34 |
| 100 | $4.58400 | $458.40 |
| 500 | $4.29742 | $2,148.71 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.59853 | $3,598.53 |
| 2,000 | $3.51096 | $7,021.92 |
| 不含 VAT 单价: | $9.42000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $10.26780 |
新加坡