
IMBG65R007M2HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - 卷带(TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - 剪切带(CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMBG65R007M2HXTMA1 |
描述 | SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 238A(Tc) 789W(Tc) PG-TO263-7-12 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IMBG65R007M2HXTMA1 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V,20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.5 毫欧 @ 146.3A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 2.97mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 179 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +23V,-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6359 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 789W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-7-12 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $39.23000 | $39.23 |
| 10 | $29.74100 | $297.41 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $24.29845 | $24,298.45 |
| 不含 VAT 单价: | $39.23000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $42.76070 |








