


IMBG120R116M2HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - 卷带(TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - 剪切带(CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMBG120R116M2HXTMA1 |
描述 | SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263 |
原厂标准交货期 | 26 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 1200 V 21.2A(Tc) 123W(Tc) PG-TO263-7-12 |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V,18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 115.7 毫欧 @ 6A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.1V @ 1.9mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.4 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +23V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 500 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 123W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-TO263-7-12 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $8.75000 | $8.75 |
| 10 | $5.87100 | $58.71 |
| 100 | $4.24300 | $424.30 |
| 500 | $4.23486 | $2,117.43 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,000 | $3.45985 | $3,459.85 |
| 不含 VAT 单价: | $8.75000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $9.53750 |








